ADI CD
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ADI CD
https://adisaheating.com
ADI CD 70 to ADI CD 750: The electric supply must be 220/230 V, 50 Hz, single phase, ground connection. (Remember: in case of 220/230 V, two phases, it is ...
FAB 术语缩写
https://blog.csdn.net
CD: Critical Dimension 关键尺寸. ADI: After Develop Inspection 显影后检测. AEI: After Etch Inspection 蚀刻后检测. BKM: Best Known Method.
Method for controlling ADI
https://patents.google.com
A method for controlling ADI-AEI CD difference ratios of openings having different sizes is provided. First, a first etching step using a patterned ...
半導體中ADI CD是什麼的縮寫資訊整理
https://file007.com
半導體中ADI CD是什麼的縮寫資訊整理. ADI用語是在於半導體微影製程中，A 代表AFTER ，D 代表DEVEROPER (加ed)，I 代表INSPECTION ，其實還有AEI，其中E代表ETCHER(ed)。
半導體＆ ETCH 知識，你能答對幾個？
http://ilms.ouk.edu.tw
何謂AEI CD? 答：蝕刻後特定圖形尺寸之大小,特徵尺寸(Critical Dimension). 何謂CD bias? 答：蝕刻CD 減蝕刻前黃光CD. 簡述何謂田口式實驗計劃法? 答 ...
應用微影覆蓋誤差的錯誤診斷分析改善微影製程總體設備效能
https://ndltd.ncl.edu.tw
微影製程檢視又可分為三大類，層對層覆蓋誤差檢查（Overlay error）及線與孔的寬度檢查（Critical Dimensions, CD）以及顯影後檢查（After Develop Inspection, ADI），微
第一章緒論
https://ir.nctu.edu.tw
微影量測設備主要可分為三大類，分別為顯影後檢查機（ADI：After Development. Inspection），關鍵尺寸CD 線寬量測機（CD Measurement）及圖形覆蓋對準量測機（Overlay.
臨界尺寸量測方法最佳化之研究
https://ir.nctu.edu.tw
ADI CD(um). ADI CD. 圖2-11 光阻擺動趨勢圖. 在所有影響ADI CD 要因中，以曝光能量的改變對CD 的變化最具線. 性，且曝光能量容易調整且可以準確的修正CD 之誤差。故量產上 ...
顯影后檢測
https://www.newton.com.tw
顯影后檢測（After Develop Inspection，ADI），即顯影后CD測量。一般用於檢測曝光機和顯影機的性能指標，曝光和顯影完成之後，通過ADI 機台對所產生的圖形的定性 ...
顯影後關鍵尺寸之批次預測與控制
https://ndltd.ncl.edu.tw
... CD目標值，提高製程控制能力，增進晶圓的線寬品質。驗證結果發現ADI CD 的在使用RLS Run to Run控制器後，能夠從沒有ADI CD回饋控制的1.472提升至1.8136，改善約23%。